通常所指蝕刻也稱光化學蝕刻（photochemical etching），指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學溶液，使用兩個陽性圖形通過從兩面的化學研磨達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。化學蝕刻是很有針對性的，是專指受控腐蝕，是金屬通過化學方法進行一種可以控制的加工方法。
隨著電子技術的發展，越來越需要許多幾何形狀復雜、精密度要求高而機械加工難以實現的超薄形工件。而光化學蝕刻方法卻易達到部件平整、無毛刺、圖形復雜的要求，且加工周期短、成本低。它的化學原理是利用三氯化鐵水溶液作為腐蝕劑與金屬反應：
2FeCl3 ＋ Fe＝ 2FeCl2 
2FeCl3 ＋ Cu＝ CuCl2 ＋ 2FeCl2

在氯離子和氧化劑共存的條件下就可以發生金屬腐蝕。FeCl3作為一種較強的氧化劑，其腐蝕作用取決于Fe3 +＋e→Fe2+反應的氧化還原電位（0.77V），加之溶液中含有大量的氯離子，且 PH 值低、酸性強，所以對金屬有強烈的腐蝕傾向。在更多的場合所指的都是金屬與周圍環境介質接觸，并與之發生化學或電化學作用而引起的破壞、變質所導致的金屬化學損失行為。蝕刻液中的蝕刻過程，首先是在金屬零件表面發生晶粒的溶解作用；其次在晶界上也發生溶解作用，晶界是以不同于晶粒的溶解速度發生溶解作用的。金屬表面存在著電位差，電位正的地方得到暫時的保護，電位負的地方被優先蝕刻。
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